CSD19535KTT - MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-CSD19535KTT
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für CSD19535KTT
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD19535KTT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7930pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DDPAK/TO-263-3
Paket / fall : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CSD19535KTT
Datenblätter : CSD19535KTT.pdf
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