CSD86330Q3D - MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

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MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
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Technische Daten für CSD86330Q3D

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD86330Q3D
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 12.5V
Leistung max : 6W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerLDFN
Supplier Device Package : 8-LSON (3.3x3.3)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für CSD86330Q3D

Datenblätter : CSD86330Q3D.pdf

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