AFT23H200-4S2LR6 - FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
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FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
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Technische Daten für AFT23H200-4S2LR6
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AFT23H200-4S2LR6
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : LDMOS (Dual)
Frequenz : 2.3GHz
Gewinnen : 15.3dB
Spannungs - Test : 28V
Aktuelle Bewertung : -
Rauschzahl : -
Aktueller Test : 500mA
Leistung : 45W
Spannung - bewertet : 65V
Paket / fall : NI-1230-4LS2L
Supplier Device Package : NI-1230-4LS2L
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AFT23H200-4S2LR6
Datenblätter : AFT23H200-4S2LR6.pdf
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