AFT23H200-4S2LR6 - FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
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Hersteller
Kurze Beschreibung
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
7664 Pieces
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Technische Daten für AFT23H200-4S2LR6
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
AFT23H200-4S2LR6
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
LDMOS (Dual)
Frequenz :
2.3GHz
Gewinnen :
15.3dB
Spannungs - Test :
28V
Aktuelle Bewertung :
-
Rauschzahl :
-
Aktueller Test :
500mA
Leistung :
45W
Spannung - bewertet :
65V
Paket / fall :
NI-1230-4LS2L
Supplier Device Package :
NI-1230-4LS2L
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für AFT23H200-4S2LR6
Datenblätter :
AFT23H200-4S2LR6.pdf
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