IPDD60R190G7XTMA1 - MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

Hersteller Teilenummer

IPDD60R190G7XTMA1

Interne Teilenummer

AX-IPDD60R190G7XTMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

315570 Pieces

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Technische Daten für IPDD60R190G7XTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPDD60R190G7XTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10

Serie : CoolMOS™ G7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 210µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 718pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 76W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-HDSOP-10-1

Paket / fall : 10-PowerSOP Module

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPDD6 , IPDD60R1

Dokumente für IPDD60R190G7XTMA1

Datenblätter : IPDD60R190G7XTMA1.pdf

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