NP109N055PUJ-E1B-AY - MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
RoHS-Status
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Technische Daten für NP109N055PUJ-E1B-AY
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NP109N055PUJ-E1B-AY
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10350pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 220W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NP109N055PUJ-E1B-AY
Datenblätter : NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf
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