SI7960DP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
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MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
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Technische Daten für SI7960DP-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI7960DP-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI7960DP-T1-GE3
Datenblätter : SI7960DP-T1-GE3.pdf
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