IPC042N03L3X1SA1 - MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1239805 Pieces
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Technische Daten für IPC042N03L3X1SA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPC042N03L3X1SA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Paket / fall :
Die
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPC042N03L3X1SA1
Datenblätter :
IPC042N03L3X1SA1.pdf
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