IXFX21N100F - MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFX21N100F
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXFX21N100F
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXFX21N100F
Hersteller :
IXYS-RF
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
Serie :
HiPerRF™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXFX21N100F
Datenblätter :
IXFX21N100F.pdf
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