BAS316,H3F - DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-BAS316,H3F
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
15281280 Pieces
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Technische Daten für BAS316,H3F
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BAS316,H3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 3ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 200nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-76, SOD-323
Supplier Device Package : USC
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BAS316,H3F
Datenblätter : BAS316,H3F.pdf
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