K4A8G085WC-BITD - 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production

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8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
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Technische Daten für K4A8G085WC-BITD

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : K4A8G085WC-BITD
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
Serie : DDR4
Dichte : 8 Gb
Org. : 1G x 8
Geschwindigkeit : 2666 Mbps
Stromspannung : 1.2 V
Temp. : -40 ~ 95 °C
Paket : 78FBGA
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : K4A8G , K4A8G08

Dokumente für K4A8G085WC-BITD

Datenblätter : K4A8G085WC-BITD.pdf

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