2SK4066-1E - MOSFET N-CH 60V 100A

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MOSFET N-CH 60V 100A
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Technische Daten für 2SK4066-1E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 2SK4066-1E
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12500pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.65W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-262-3
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für 2SK4066-1E

Datenblätter : 2SK4066-1E.pdf

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