SPD02N80C3ATMA1 - MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
RoHS-Status
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Technische Daten für SPD02N80C3ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SPD02N80C3ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 120µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 42W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SPD02N80C3ATMA1
Datenblätter : SPD02N80C3ATMA1.pdf
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