FQD7N10LTM - MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Hersteller Teilenummer

FQD7N10LTM

Interne Teilenummer

AX-FQD7N10LTM

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1778645 Pieces

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Technische Daten für FQD7N10LTM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQD7N10LTM

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Serie : QFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-Pak

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FQD , FQD7N

Dokumente für FQD7N10LTM

Datenblätter : FQD7N10LTM.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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