IRF9910TRPBF - MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF9910TRPBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
873605 Pieces
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Technische Daten für IRF9910TRPBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF9910TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF9910TRPBF
Datenblätter :
IRF9910TRPBF.pdf
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