IPN95R3K7P7ATMA1 - MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
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Interne Teilenummer
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IPN95R3K7P7ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPN95R3K7P7ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Serie : CoolMOS™ P7
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 950V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 40µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 196pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT223
Paket / fall : TO-261-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPN95R3K7P7ATMA1
Datenblätter : IPN95R3K7P7ATMA1.pdf
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