SI1912EDH-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
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MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
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Technische Daten für SI1912EDH-T1-E3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI1912EDH-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 100µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 570mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-70-6 (SOT-363)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI1912EDH-T1-E3
Datenblätter : SI1912EDH-T1-E3.pdf
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