BUZ31L - MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB

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Interne Teilenummer
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MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
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Technische Daten für BUZ31L

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BUZ31L
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 95W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BUZ31L

Datenblätter : BUZ31L.pdf

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