NVD3055L170T4G-VF01 - MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

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MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
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Technische Daten für NVD3055L170T4G-VF01

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVD3055L170T4G-VF01
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 5V
Vgs (Max) : ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NVD3055L170T4G-VF01

Datenblätter : NVD3055L170T4G-VF01.pdf

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