IXFE23N100 - MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
RoHS-Status
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Technische Daten für IXFE23N100

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFE23N100
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXFE23N100

Datenblätter : IXFE23N100.pdf

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