SI5402BDC-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
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MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
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Technische Daten für SI5402BDC-T1-E3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI5402BDC-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI5402BDC-T1-E3
Datenblätter : SI5402BDC-T1-E3.pdf
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