CDBDSC51200-G - DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
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Kurze Beschreibung
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
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Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für CDBDSC51200-G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CDBDSC51200-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 18A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : 475pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CDBDSC51200-G
Datenblätter : CDBDSC51200-G.pdf
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