EFC6601R-TR - MOSFET 2N-CH EFCP

Hersteller Teilenummer

EFC6601R-TR

Interne Teilenummer

AX-EFC6601R-TR

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH EFCP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1852275 Pieces

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Technische Daten für EFC6601R-TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EFC6601R-TR

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET 2N-CH EFCP

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 2W

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-XFBGA, FCBGA

Supplier Device Package : EFCP2718-6CE-020

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für EFC6601R-TR

Datenblätter : EFC6601R-TR.pdf

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