FDZ191P - MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FDZ191P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDZ191P
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.9W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-WLCSP (1.0x1.5)
Paket / fall : 6-UFBGA, WLCSP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDZ191P

Datenblätter : FDZ191P.pdf

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