MT47H512M4THN-25E:M - IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Hersteller Teilenummer

MT47H512M4THN-25E:M

Interne Teilenummer

AX-MT47H512M4THN-25E:M

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

57700 Pieces

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Technische Daten für MT47H512M4THN-25E:M

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MT47H512M4THN-25E:M

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR2

Speichergröße : 2Gb (512M x 4)

Taktfrequenz : 400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns

Zugriffszeit : 400ps

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur : 0°C ~ 85°C (TC)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MT47H5 , MT47H512M

Dokumente für MT47H512M4THN-25E:M

Datenblätter : MT47H512M4THN-25E:M.pdf

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