R8008ANJFRGTL - R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

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R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für R8008ANJFRGTL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : R8008ANJFRGTL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.03 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 195W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LPTS
Paket / fall : SC-83
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für R8008ANJFRGTL

Datenblätter : R8008ANJFRGTL.pdf

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