RF4E080GNTR - MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RF4E080GNTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RF4E080GNTR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 295pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : HUML2020L8
Paket / fall : 8-PowerUDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RF4E080GNTR

Datenblätter : RF4E080GNTR.pdf

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