1N1200A - DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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USD 3.972
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Technische Daten für 1N1200A

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N1200A
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 12A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis, Stud Mount
Paket / fall : DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package : DO-4
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 200°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für 1N1200A

Datenblätter : 1N1200A.pdf

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