SIA915DJ-T4-GE3 - MOSFET 2P-CH 30V SC70-6

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Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
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Technische Daten für SIA915DJ-T4-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIA915DJ-T4-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.7A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 87 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 15V
Leistung max : 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SIA915DJ-T4-GE3

Datenblätter : SIA915DJ-T4-GE3.pdf

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