RSS105N03FU6TB - MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC

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MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
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Technische Daten für RSS105N03FU6TB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RSS105N03FU6TB
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs (Max) : 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : RSS105N03FU6TB.pdf

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