AS4C8M16D1-5BINTR - IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller Teilenummer

AS4C8M16D1-5BINTR

Interne Teilenummer

AX-AS4C8M16D1-5BINTR

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

227340 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für AS4C8M16D1-5BINTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : AS4C8M16D1-5BINTR

Hersteller : Alliance Memory, Inc.

Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR

Speichergröße : 128Mb (8M x 16)

Taktfrequenz : 200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns

Zugriffszeit : 700ps

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 60-TFBGA

Supplier Device Package : 60-TFBGA (8x13)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : AS4C8 , AS4C8M16

Dokumente für AS4C8M16D1-5BINTR

Datenblätter : AS4C8M16D1-5BINTR.pdf

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