DMT10H009LSS-13 - MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR

Hersteller Teilenummer

DMT10H009LSS-13

Interne Teilenummer

AX-DMT10H009LSS-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für DMT10H009LSS-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMT10H009LSS-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Ta), 48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2309pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMT10H009LSS-13

Datenblätter : DMT10H009LSS-13.pdf

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