JAN1N6170US - TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für JAN1N6170US

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JAN1N6170US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/516
Teilestatus : Active
Art : Zener
Unidirektionale Kanäle : -
Bidirektionale Kanäle : 1
Spannung - Reverse Standoff (Typ) : 114V
Spannung - Durchschlag (min.) : 135.38V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp : 216.62V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) : 6.94A
Leistung - Spitzenimpuls : 1500W (1.5kW)
Stromleitungsschutz : No
Anwendungen : General Purpose
Kapazität bei Frequenz : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, C
Supplier Device Package : C, SQ-MELF
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für JAN1N6170US

Datenblätter : JAN1N6170US.pdf

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