IXFH80N65X2-4 - MOSFET N-CH

Hersteller Teilenummer

IXFH80N65X2-4

Interne Teilenummer

AX-IXFH80N65X2-4

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

55182 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für IXFH80N65X2-4

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFH80N65X2-4

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH

Serie : HiPerFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8300pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 890W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247-4L

Paket / fall : TO-247-4

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IXFH , IXFH80

Dokumente für IXFH80N65X2-4

Datenblätter : IXFH80N65X2-4.pdf

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