RQ3E100BNTB - MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RQ3E100BNTB
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4359965 Pieces
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Technische Daten für RQ3E100BNTB
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RQ3E100BNTB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RQ3E100BNTB
Datenblätter :
RQ3E100BNTB.pdf
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