DMT6009LFG-7 - MOSFET N-CH 60V 11A

Hersteller Teilenummer

DMT6009LFG-7

Interne Teilenummer

AX-DMT6009LFG-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 11A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für DMT6009LFG-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMT6009LFG-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 11A

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta), 34A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1925pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerDI3333-8

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMT6009LFG-7

Datenblätter : DMT6009LFG-7.pdf

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