SPD08P06P - MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK

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MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
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Technische Daten für SPD08P06P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SPD08P06P
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.83A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 42W (Tc)
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SPD08P06P

Datenblätter : SPD08P06P.pdf

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