APT70SM70B - POWER MOSFET - SIC

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POWER MOSFET - SIC
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Technische Daten für APT70SM70B

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APT70SM70B
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MOSFET - SIC
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 125nC @ 20V
Vgs (Max) : +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für APT70SM70B

Datenblätter : APT70SM70B.pdf

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