TPAR3J S1G - DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TPAR3J S1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1931615 Pieces
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Technische Daten für TPAR3J S1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TPAR3J S1G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 120ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 58pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package : TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für TPAR3J S1G
Datenblätter : TPAR3J S1G.pdf
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