TSM60NB041PW C1G - MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für TSM60NB041PW C1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TSM60NB041PW C1G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 78A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 21.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 139nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6120pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 446W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TSM60NB041PW C1G

Datenblätter : TSM60NB041PW C1G.pdf

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