IXTH1N200P3HV - MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für IXTH1N200P3HV
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXTH1N200P3HV
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
2000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
646pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247HV
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXTH1N200P3HV
Datenblätter :
IXTH1N200P3HV.pdf
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