IXFN170N65X2 - MOSFET N-CH
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFN170N65X2
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
21320 Pieces
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Technische Daten für IXFN170N65X2
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFN170N65X2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 434nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 27000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1170W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXFN170N65X2
Datenblätter : IXFN170N65X2.pdf
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