USB10H - MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

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MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
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Technische Daten für USB10H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : USB10H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 441pF @ 10V
Leistung max : 700mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : SuperSOT™-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : USB10H.pdf

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