DMG7401SFGQ-13 - MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

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MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
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Technische Daten für DMG7401SFGQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMG7401SFGQ-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2987pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 940mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI3333-8
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMG7401SFGQ-13

Datenblätter : DMG7401SFGQ-13.pdf

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