IPS65R1K0CEAKMA1 - MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

Hersteller Teilenummer

IPS65R1K0CEAKMA1

Interne Teilenummer

AX-IPS65R1K0CEAKMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

1362490 Pieces

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Technische Daten für IPS65R1K0CEAKMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPS65R1K0CEAKMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

Serie : CoolMOS™ CE

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 328pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 37W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-251

Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPS65 , IPS65R1K

Dokumente für IPS65R1K0CEAKMA1

Datenblätter : IPS65R1K0CEAKMA1.pdf

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