SPP18P06PHXKSA1 - MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220

Hersteller Teilenummer

SPP18P06PHXKSA1

Interne Teilenummer

AX-SPP18P06PHXKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

313825 Pieces

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Technische Daten für SPP18P06PHXKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SPP18P06PHXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220

Serie : SIPMOS®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 81.1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SPP18 , SPP18P0

Dokumente für SPP18P06PHXKSA1

Datenblätter : SPP18P06PHXKSA1.pdf

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