IPB12CN10N G - MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IPB12CN10N G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IPB12CN10N G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPB12CN10N G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.6 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4320pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPB12CN10N G
Datenblätter : IPB12CN10N G.pdf
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