APTC90DAM60T1G - MOSFET N-CH 900V 59A SP1
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für APTC90DAM60T1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTC90DAM60T1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 540nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13600pF @ 100V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 462W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SP1
Paket / fall : SP1
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTC90DAM60T1G
Datenblätter : APTC90DAM60T1G.pdf
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