CMH04(TE12L,Q,M) - DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
3778640 Pieces
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Technische Daten für CMH04(TE12L,Q,M)
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
CMH04(TE12L,Q,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
980mV @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOD-128
Supplier Device Package :
M-FLAT (2.4x3.8)
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 150°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für CMH04(TE12L,Q,M)
Datenblätter :
CMH04(TE12L,Q,M).pdf
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