IPI076N12N3GAKSA1 - MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3

Hersteller Teilenummer

IPI076N12N3GAKSA1

Interne Teilenummer

AX-IPI076N12N3GAKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

253440 Pieces

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Technische Daten für IPI076N12N3GAKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPI076N12N3GAKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 120V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 130µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 101nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6640pF @ 60V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 188W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPI07 , IPI076N1

Dokumente für IPI076N12N3GAKSA1

Datenblätter : IPI076N12N3GAKSA1.pdf

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