BUK9Y7R8-80E,115 - MOSFET N-CH 80V LFPAK

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MOSFET N-CH 80V LFPAK
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Technische Daten für BUK9Y7R8-80E,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BUK9Y7R8-80E,115
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V LFPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SC-100, SOT-669
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BUK9Y7R8-80E,115

Datenblätter : BUK9Y7R8-80E,115.pdf

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